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第二部分解释了电路设计人员该如何评估栅极电压欠冲是否会影响SiC-MOSFET的开关特性　在后一节，探讨了栅极电压欠冲对开关能量损耗以及器件热行为的影响　3.1 栅极电压特性图4清楚地显示了，外部栅极电阻分别为1Ω和10.1Ω时，关断测量脉冲期间，栅极电压随时间的变化　

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