半导体芯片掺杂高低温一体机
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专为半导体芯片掺杂工艺设计，精准模拟掺杂过程中所需的极端温度环境，覆盖 - 110℃~400℃宽温域，可满足离子注入、扩散掺杂等工艺对温度的严苛要求，为芯片掺杂均匀性、杂质激活效率等关键指标的优化提供稳定温场，适配半导体晶圆制造、芯片研发及中试生产线等场景。
采用迈浦特定制 PLC 控制系统，9 组独立 PID 温区段控温，控温精度达 ±0.1℃，可精准复现芯片掺杂时的低温预处理（如 - 110℃抑制杂质扩散）、高温激活（如 400℃促进杂质电离）等极端工况，确保掺杂浓度与深度的一致性。
制冷系统采用单压缩机制冷配合辅助深冷技术，加热系统搭载不锈钢 316L 材质加热管，升降温速率支持斜率 / 快速调节，满足掺杂工艺中快速升温激活、缓慢降温退火等不同需求；全密闭硅油循环系统搭配耐温 - 110℃~350℃的磁力油泵，保障导热介质稳定传输，避免杂质污染芯片。
具备超温断电、电源逆相、缺油报警等多重保护，针对高温掺杂场景增设压力异常自动泄压功能；7 寸触摸显示屏实时显示温度曲线与运行参数，支持 100 组程序编辑（每组 100 步），可预设掺杂工艺的温度变化阶梯，数据通过 USB 导出，适配半导体生产的可追溯性要求。
离子注入后高温激活：在 200℃~400℃区间精准控温，促进注入杂质的电激活，提升芯片电学性能；
低温掺杂预处理：在 - 50℃~-110℃环境下抑制杂质扩散，提高掺杂图形的分辨率；
扩散掺杂温度循环：模拟从室温→高温（300℃~400℃）→低温（-80℃）的循环过程，优化杂质分布均匀性；
芯片掺杂层退火：通过精准控温消除掺杂过程中的晶格损伤，提升芯片稳定性。
多点温度监测：扩展 PT100 传感器，同步监测试样与温场温度差异；
远程控制模块：支持 PROFINET、PROFIBUS 协议，集成至半导体生产线 DCS 系统；
洁净级管路：采用不锈钢无缝焊接管路，适配半导体洁净车间环境要求。
