ZY-DBC-102 IPM 参数测试系统设备智盈电气科技
ZY-DBC-102 IPM 参数测试系统设备智盈电气科技
产品价格:¥100000.00(人民币)
  • 供应数量:1
  • 发货地:陕西-西安市
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    商品详情

      系统概念                                                                               

      IPM(Inbligent Power Module),即智能功率模块,是先进的混合集成功率器件, 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU。  该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统,选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源,检测IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性,并对器件的故障信息给予判断处理。

      测试功能

      测试范围

      测试参数

      IPM

      BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

      VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

      ID, VEC,

      Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

      VCIN(OFF),

      ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

      VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

      Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

      T_MEAS, V_MEAS

      IGBT

      ICES BVCES IGES VF VGEON

      VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

      DIODE

      VF-Temp,Temp, VF revision

      参数指标

      静态参数

      上桥参数

      动态参数

      上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

      集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V


      上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

      集电极电流/Ice: 10~75A/±3%/1A


      上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

      VD=VBS=15V/±3%/0.1V


      上桥驱动IC高端静态工作电流测试(Iqbs-U V W)

      VIN=0~5V/±3%/0.1V


      上桥欠压保护监测电平(UVbsd-U V W)

      ton-L : 10~500nS/±3%/1nS


      上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)

      tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS


      上桥驱动IC导通阈值电压测试(Vth(on)-UH VH WH)

      toff-L: 50~500nS/±3%/1nS


      上桥驱动IC关断阈值电压测试(Vth(off)-UH VH WH)

      tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS


      上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)

      Trr-L :10~500nS/±3%/1nS


      上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

      Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



      Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ


      下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

      下桥参数

      集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V

      下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)

      集电极电流/Ice:10~75A/±3%/1A


      故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

      VD=VBS=15V/±3%/0.1V


      过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))

      VIN=0~5V/±3%/0.1V


      下桥欠压保护监测电平(UVdd)VD=VBS=15V

      on-L : 10~500nS/±3%/1nS


      下桥欠压保护复位电平(UVdr)

      tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS


      下桥驱动IC导通阈值电压(Vth(on)-UL VL WL)

      toff-L: 50~500nS/±3%/1nS


      下桥驱动IC关断阈值电压(Vth(off)-UL VL WL)

      tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS


      下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

      Trr-L :10~500nS/±3%/1nS


      下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

      Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



      Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



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