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ENI1220 IPM?测试系统 ?
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系统概述 |
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基础配置 |
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该系统是测试IPM的测试设备，输出电压3000v.电流3000A, 系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。 |
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电压 |
电流 |
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标配 |
选配 |
标配 |
选配 |
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1200V |
1000V |
200A |
200A |
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2200V |
400A |
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3300V |
600A |
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4500V |
1000A |
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6000V |
2000A |
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配置/短路测试 |
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电压 |
电流 |
短路测试 |
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标配 |
选配 |
标配 |
选配 |
项目 |
范围 |
误差 |
分辨率 |
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1200V |
2200V |
200A |
400A |
VPN |
100V～1200V |
±3% |
10V |
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3300V |
600A |
测试电流 |
10A～75A |
±3% |
1A |
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4500V |
1000A |
短路电流 |
100A～500A |
±3% |
1A |
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6000V |
2000A |
短路时间 |
1 uS～10uS |
可调 |
可调 |
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测试功能 |
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测试范围 |
测试参数 |
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IPM |
BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS |
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IGBT |
ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) |
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DIODE |
VF-Temp, Temp, VF revision |
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参数?/ 精度 |
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静态参数 |
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动态参数 |
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上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) |
上 桥 开 关 参 数 |
集电极电压Vce： 100～1200V， |
误差±3%,分辨率10V |
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上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) |
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上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) |
集电极电流Ice： 10～75A， |
误差±3%,分辨率1A |
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上桥驱动IC高端静态工作电流测试 （Iqbs-U,V,W） |
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VD=VBS=15V, ?????????? |
误差±3%,分辨率0.1V |
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上桥欠压保护监测电平 （UVbsd-U V W） |
VIN=0～5V ???????????? |
误差±3%,分辨率0.1V ?? |
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上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W） |
ton-L : 10～500nS, ??? |
误差±3%,分辨率1nS |
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上桥驱动IC导通阈值电压测试 （Vth（on）-UH VH WH） |
tc（on）-L :5～200ｎS, |
误差±3%,分辨率1nS ??? |
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toff-L: 50～500ｎS, ?? |
误差±3%,分辨率1nS |
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上桥驱动IC关断阈值电压测试 （Vth（off）-UH VH WH） |
tc(off)-L: 5～200ｎS, |
误差±3%,分辨率1nS ???? |
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Trr-L :10～500ｎS, ??? |
误差±3%,分辨率1nS |
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上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH） |
Eon-L :0.1～10ｍＪ, ?? |
误差±3%,分辨率0.1mJ ? |
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上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH) |
Eoff-L： 0.1～10ｍＪ ? |
误差±3%,分辨率0.1mJ |
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下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L) |
下 桥 开 关 参 数 |
集电极电压Vce： 100～1200V， |
误差±3%,分辨率10V |
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下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL） |
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故障输出电压测试（Vfoh Vfol） |
集电极电流Ice： 10～75A， |
误差±3%,分辨率1A |
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过流保护阈值电压测试（Vcin（ref）） |
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下桥欠压保护监测电平（UVdd） |
VD=VBS=15V, ?????????? |
误差±3%,分辨率0.1V |
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下桥欠压保护复位电平（UVdr） |
VIN=0～5V ???????????? |
误差±3%,分辨率0.1V ?? |
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下桥驱动IC导通阈值电压 （Vth（on）-UL VL WL） |
ton-L : 10～500nS, ??? |
误差±3%,分辨率1nS |
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tc（on）-L :5～200ｎS, |
误差±3%,分辨率1nS ??? |
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下桥驱动IC关断阈值电压 （Vth（off）-UL VL WL） |
toff-L: 50～500ｎS, ?? |
误差±3%,分辨率1nS |
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tc(off)-L: 5～200ｎS, |
误差±3%,分辨率1nS ???? |
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下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL） |
Trr-L :10～500ｎS, ??? |
误差±3%,分辨率1nS |
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下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL) |
Eon-L :0.1～10ｍＪ, ?? |
误差±3%,分辨率0.1mJ ? |
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Eoff-L： 0.1～10ｍＪ ? |
误差±3%,分辨率0.1mJ |
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