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商品详情
ENS1040栅电荷测试系统
功能指标
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测量参数 |
技术条件 |
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开启栅电荷QgOn |
Id=1 to 100Amps |
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存储电荷Qgs |
Vdd=5 to 95v |
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平台电荷Qgd |
Vg=+/-1 to+/-19V |
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平台电压PlateauVoltage |
Ig=0.1 to 10ma Id@threshold=100 to 1000ua |
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导通电阻RdsOn |
Qg=0.5 to 500nc |
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栅电阻Rg |
Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms |
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阈值电压GateThresholdVotage |
Gate/Drainwaveform Capture/storage |
