FUJI富士电机作为IGBT硅片生产领先厂家,最早将IGBT模块引入中国。经过十几年的不断发展,半导体器件已在国内UPS、电镀电源、变频器领域得到了广泛应用，已成为经典使用器件。北京一祥聚辉科贸有限公司 主要经营产品为国际知名品牌的元器件产品，目前经销产品：富士IGBT模块、LEM传感器、英飞凌IGBT，西门康IGBT，bussmann熔断器、LS产电产品等等，并根据客户的需求不断完善我们的产品线。

      IGBT作为能源变换与传输的核心器件，电力电子装置“CPU”，在全球能源领域大变革浪潮中的地位越来越重要。但目前国内IGBT市场基本由英飞凌、富士、三菱等国外公司垄断。从2017年下半年IGBT缺货的苗头就已经显现出来了，IGBT各大品牌的供应商纷纷向采购商和客户发出通知并要求其做好需求计划，以保证后期供货。目前富士IGBT模块正在量产当中，符合欧盟ROhs指令，适用于汽车电子。

      IGBT 模块的特性：下面以 6MBI100VB-120-50 (6in1，1200V/100A，第 6 代 IGBT 模块) 为例，对规格书中记载的关于 IGBT 的种种特性进行说明。

静态特性：以 V 系列的 IGBT：6MBI100VB-120-50 为例， VCE-IC 特性(一般称为输出特性)的 VGE 依存性如图 2-1、 图 2-2 所示。因为该特性表示 IGBT 在导通状 态下集电极-发射极电压(VCE)和集电极电流(IC)的 关系，所以形成了在导通状态下IGBT中发生的损耗。 然而，虽然 VCE越低，产生的损耗就越小，但是由于 该特性会随着结温(Tj)和 VGE的变化而变化，因此， 请在充分考虑该特性的前提下进行装置的设计。 一般情况下，推荐在 VGE＝15V 时，装置的最大 输出电流小于等于元件的标称额定电流值的情况下 使用。 另外,图2-3是将图2-1中的数据转化成VCE‐VGE 特性的 IC依存性的曲线图。可以从中看出 VCE(损耗) 急剧增加到极限时的 VGE的大体标准值。 

    富士IGBT模块型号2MBI1400VXB-170P-54原装有现货,其他型号如2MBI1000VXB-170E-54   2MBI1400VXB-120P-54   2MBI450VN-170-50    2MBI600VN-170P-50    2MBI150VA-120-50   2MBI650VXA-170E-54    2MBI800XNE-120等也都有现货。 我们通过多年的积累，已经具备了丰富的市场推广和销售运作经验，我们有技术服务支持提供给客户售前售中和售后支持。
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