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可控硅门极特性测试仪SCRD12V
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
可控硅门极特性测试仪SCRD12V
基础信息
测试对象：晶闸管及双向晶闸管
测试参数：触发电流IGT
触发电压VGT
维持电流IH
擎住电流IL
测试标准：《反向阻断三极晶闸管测试方法》（JB/T7626-2013）
操控方式：单片机程控，触摸屏设置，测试结果屏显，可导入U盘
产品结构：桌面式单机仪器，程控操作，自动化高等优点
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
可控硅门极特性测试仪SCRD12V
性能指标
门极触发电压/门极触发电流测试单元
阳极电压:12V
阳极串联电阻:62
门极触发电压:0.30V~4.50V@0.01V@3%0.01V
门极触发电流:5mA~450mA@1mA@3%士1mA
测试频率:单次
维持电流测试单元
阳极电压:12V
预导通电流:0~20A、20~25A、30~35A、>40A
维持电流:5mA~450mA@1mA@5%士1mA
输出波形：正弦衰减波
测试频率:单次
擎柱电流测试单元
阳极电压:12V;
擎住电流:10mA~1999mA@1mA@士5%士2mA
测试频率:单次
人机界面陕西天士立科技有限公司
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可控硅门极特性测试仪SCRD12V
工作原理
可控硅门极特性测试仪SCRD12V
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