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FH413A05 MEMS三轴加速度传感器说明书
一、简介
FH413A05 MEMS三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有低功耗、高可靠性和高封装坚固性，并具自检测（Self-Test）等功能，可实现自检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、 倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二、原理
FH413A05 MEMS三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克 服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块 相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结 构的偏转，从而产生电压输出信号。
三、技术条件
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性能 |
FH413A性能 |
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Ax ，Ay ，Az |
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测量范围（ g） |
±2 |
±4 |
±5 |
± 10 |
±20 |
±40 |
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灵敏度（mV/g） |
1000±50 |
500±50 |
400±30 |
200±20 |
100±10 |
50±5 |
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带宽（10%，Hz） |
0～500 |
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零 g 偏置电压（V） |
2.5±0.05 |
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满量程输出（V） |
0.5-4.5 |
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零偏温度变化（mg/ °C） |
±0.2~ ±0.8 |
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交叉轴影响（%） |
≤2 |
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非线性度(％F.S) |
≤0.1 |
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噪声密度（ug/ √Hz） |
20~80 |
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供电要求 |
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供电电压(VDC) |
12±0.5 |
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输入电流（mA） |
≤20 |
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工作环境 |
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使用温度（。C） |
-45～+85 |
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抗冲击（ g） |
5000 |
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重量、体积 |
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重量(g) |
≤20 |
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体积（mm3 ) |
21.6×21.6×12.4 |
